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第83章 时间紧迫提前囤积零件(第1页)

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第83章时间紧迫,提前囤积零件

经过了一晚上的休息,隔天一早,林天就迫不及待地亲自前往龙芯国际操刀光掩膜版的生产制作。

陈星与曲程没有急着离开魔都,而是共同前去观摩。

他们都想看看,林天到底是不是那么全能。

龙芯国际实验室内,已经聚集了大批抱着学习态度,前来观看的光刻工程师。

面对数十位光刻工程师组成的围观学习人群,林天也没有半点怯场,眼神平静且专注,与前一天吊儿郎当的样子判若两人,轻车熟路地开始了光掩膜版的初步制作。

光掩膜版的制作流程与芯片生产同理,同样要经过图形制作与转换、曝光、显影、蚀刻、脱模、清洗、缺陷检查、缺陷修补、出货清洗、贴膜十个主要步骤,但又与芯片生产不同。

芯片生产,光刻机曝光,而光掩膜版可不能依靠光刻机曝光,而是需要用到激光电子束直写方式对B1ankmask(光掩膜版材料)进行曝光。

当正性光刻胶被曝光后,化学结构生变化,产生光酸,通过显影液作用,被曝光的部分光刻胶溶解,而负性光刻胶被曝光部分结构交联,生成不易溶稳定化学结构,再通过显影液作用,曝光部分得以保留。

正所谓!

行家一出手,便知有没有!

林天前面步骤完全正确,没有半点外行的影子,而且过程行云流水,丝毫没有半点拖沓,像是一位经历过上万次光掩膜版制作的老手,一切都水到渠成。

这也让高永明、唐鑫宇,以及一众围观的光刻工程师们打心底佩服,懂光刻机,懂掩膜版,这简直就是全能天才啊!

在等待第一次流片的蚀刻空隙,龙芯国际的副席工程师唐鑫宇搓了搓手,再也忍不住请教了:“打扰一下林工,驻波效应你有什么好办法解决吗?”

驻波效应,在光刻过程中,会有一部分光被反射回来,这个反射的光和原来的入射光频率相同,会相互干涉,导致光阻层中光强度的分布不均,呈现出交替的亮暗区域,导致流片失败。

如何有效削减驻波效应,一直是他们头疼的问题。

林天移开锁定在设备上的目光,淡淡说道:“使用TaRc,BaRc等抗反射层材料,或者进行加热烘烤,用高温促进光敏剂的扩散,一定程度上弥补了光强分布不均的问题,在显影过程中可以得到更均匀的图案剖面。”

声音不大,却传遍实验室。

龙芯国际的工程师没有迟疑,立马掏出记事本记录。

别看这位“林工”

年轻,他在光刻领域的成就与造诣,早已经远在场所有人。

然而。

就在这时。

赶了最近一班飞机,连夜飞回来的冯承铭开口道:“如果用氧化铬做为抗反射层,也能消除大部分的驻波效应?”

“嗯。”

林天点了点头,脱口而出道:“用氧化铬做为抗反射层,厚度2o纳米,可以有效解决驻波效应。”

冯承铭:“为什么是2o纳米?”

“2o纳米的厚度,已经可以解决大部分驻波效应,21纳米,用不上,19纳米不够用。”

林天淡淡回答道。

两人的一问一答,让默默观看的陈星惊叹,红色品质人才果然有点变态啊!

舌战群儒,有问必答。

“刚才说话的那个老头,就是龙芯国际的光刻席。”

曲程压低了几分音量介绍道。

“原来是他。”

陈星忍不住笑了笑,这位老爷子可太传奇了。

吹个牛逼,把一群院士都唬住,如果能证实可以利用多重曝光技术实现14纳米芯片,那他吹的牛也算实现了。

“制造光掩膜版的时间比较漫长,单次流片的时间都要1到3天,我建议陈总还是不要等了,公司可不能没有你。”

曲程提了个醒道。

单次要1到3天,经过林天推算,14纳米芯片掩膜版,一共要经历5o次左右流片,才能最终进行封装使用。

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